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MDD1903	文件：825.98 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm) 文件：825.98 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDD1903RH	文件：331.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 12.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 105mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, D 文件：331.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MDD1903RH	文件：825.98 Kbytes Page：6 Pages	Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m(ohm) 文件：825.98 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDD1903RH	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V N-Ch MOSFET	MagnaChip 美格纳	MagnaChip

技术参数

Vds [V]：
100
Ids [A] 25°C：
25.0
Vgs(th) [Max V]：
3.0
Rds(on) [mOhm Max] at Vgs=：
105.0
Qgs [nC]：
8.8
Qgd [nC]：
1.7
Option：
2.3
P SpiceModelInfo：
DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MDD1903供应商更新时间2025-10-16 9:05:00

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