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25Q16	文件：1.80485 Mbytes Page：61 Pages	8M-BIT,16M-BITAND32M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q80(8M-bit),W25Q16(16M-bit),andW25Q32(32M-bit)SerialFlashmemoriesprovideastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.Theyareidealforcodes	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
25Q16BSIG	文件：1.32616 Mbytes Page：34 Pages	25Q16BSIG FEATURES ◆16M-bitSerialFlash -2048K-byte -256bytesperprogrammablepage ◆Standard,Dual,QuadSPI -StandardSPI:SCLK,CS#,SI,SO,WP#,HOLD# -DualSPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,WP#,HOLD# -QuadSPI:SCLK,CS#,IO0,IO1,IO2,IO3 ◆HighSpeedClockFrequency -120MHzforfastreadwith	GigaDeviceGigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc. 兆易创新北京兆易创新科技股份有限公司	GigaDevice
25Q16BVAIG	文件：2.06787 Mbytes Page：68 Pages	16M-BITSERIALFLASHMEMORYWITHDUALANDQUADSPI GENERALDESCRIPTION TheW25Q16BV(16M-bit)SerialFlashmemoryprovidesastoragesolutionforsystemswithlimitedspace,pinsandpower.The25QseriesoffersflexibilityandperformancewellbeyondordinarySerialFlashdevices.TheyareidealforcodeshadowingtoRAM,executingcodedirectly	WINBONDWinbond 华邦电子华邦电子股份有限公司	WINBOND
P25Q16L	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16LA-NXH-IR	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16LA-NXH-IT	文件：2.76786 Mbytes Page：67 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16LisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉股份普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA

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