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LCE60P04R	文件：987.53 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LCE60P04SN	文件：946.27 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LCE60P04Y	文件：818.33 Kbytes Page：6 Pages	LCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE60P04	文件：1.12446 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE60P04R	文件：673.71 Kbytes Page：8 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P04Rusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM applications.GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-4.3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60P04SN	文件：363.1 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P04SNusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM applications. GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60P04Y	文件：384.14 Kbytes Page：7 Pages	NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE60P04Yusesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This deviceiswellsuitedforuseasaloadswitchorinPWM applications. GeneralFeatures ●VDS=-60V,ID=-4A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE60P04Y	文件：1.11335 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •IsolatedPackage •HighVoltageIsolation=2.5kVRMS(t=60s; f=60Hz) •SinktoLeadCreepageDistance=4.8mm •P-Channel •175°COperatingTemperature •DynamicdV/dtRating •LowThermalResistance •Lead(Pb)-freeAvailable	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PJD60P04E-AU	文件：437.5 Kbytes Page：6 Pages	40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@-10V,ID@-20A	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
RM60P04Y	文件：812.25 Kbytes Page：7 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures VDS=-60V,ID=-4A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	MCU60P04-TP	Micro Commercial Co	24+	D-Pak	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	MCU60P04-TP		24+	N/A	64000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	MCU-68N15-de52	MCU	24+	NA/	321	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MCU-68N15-dice52	MCU	23+	SMD	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市亿联芯电子科技有限公司	MCU-68N15-dice52	MCU	2023+	SMD	8635	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价
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更多MCU60P04-TP供应商更新时间2025-5-16 19:01:00

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