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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
PowerMOSFET62A,25V,N?묬hannel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
PowerMOSFET62A,25V,N?묬hannel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
N-Channel20-V(D-S)175째CMOSFET | TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团 | TFUNK | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF60N02combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeco | TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司 | TUOFENG |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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