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P-Channel60V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheNP50P06KDGisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=17mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−25A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−25A) •Lowinputcapacitance | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=17mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss=50 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
-60V–-50A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=16.5mMax.(VGS=-10V,ID=-25A) RDS(on)=23.0mMax.(VGS=-4.5V,ID=-25A) Lowinputcapacitance:Ciss | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
AutomotiveP-Channel60V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
GlassPassivatedBridgeRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
GlassPassivatedBridgeRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
50A,600V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | TSC | ||
-50A,-60VP-CHANNEL(D-S)POWERMOSFET | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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