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NTD30N02	文件：53.42 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD30N02	文件：260.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=24V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD30N02	文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD30N02G	文件：134.95 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET30Amps,24Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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