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MTH20P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

MTM20P10

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

MTM20P10

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

MTM20P10

PowerFieldEffectTransistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NCE20P10J

NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheNCE20P10Jusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltages.Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitching applicationandawidevarietyofotherapplications. GeneralFeatures ●VDS=-20V,ID=-10A RDS(ON)

NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司

PAL20P10

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

PAL20P10A

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

PAL20P10AC

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

PAL20P10AJ

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

PAL20P10AJC

ProgammableArrayLogicSeries24(PALSeries24)

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

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