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NTDV20N06L	文件：298.58 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=48mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHB20N06T	文件：382.04 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHB20N06T	文件：334.21 Kbytes Page：15 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■Verylowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■Switchedmodepowersupplies ■DCtoDCconverters.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHB20N06T	文件：862.31 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHB20N06T	文件：344.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PHD20N06T	文件：896.95 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHD20N06T	文件：379.72 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■Lowconduc	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PHD20N06T	文件：307.45 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOStransistor Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Features ■TrenchMOS™technology ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching. Applications ■Switchedmodepowersupplies ■DCtoDCconverters ■Generalpurposeswitch.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHD20N06T	文件：860.13 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits L	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHD20N06T	文件：299.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=77mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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