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EMB08N03A	文件：233.48 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB08N03V	文件：214.85 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)8mΩ ID22A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FQ08N03Q	文件：847.69 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS DESCRIPTION TheFQ08N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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EMB08N03A

文件：233.48 Kbytes

Page：6 Pages

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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EMB08N03V

文件：214.85 Kbytes

Page：5 Pages

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)8mΩ ID22A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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FQ08N03Q

文件：847.69 Kbytes

Page：4 Pages

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ08N03QcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnology withalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).This deviceisidealforloadswitchandbatteryprotectionapplications APPLICATIONS Batteryprotectionapplications Loadswitch

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣电子唯圣电子有限公司

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