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BM05N06	文件：311.21 Kbytes Page：5 Pages	NPNLOWVce(sat)TRANSISTOR APPLICATIONS Switchingandmuting Batterycharger Supplylineswitchingcircuits FEATURES Epitaxialsilicon LowVCE(sat)，highcurrent RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
BM05N06-M-B	文件：311.21 Kbytes Page：5 Pages	NPNLOWVce(sat)TRANSISTOR APPLICATIONS Switchingandmuting Batterycharger Supplylineswitchingcircuits FEATURES Epitaxialsilicon LowVCE(sat)，highcurrent RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MCQ05N06	文件：513.13 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
YJM05N06A	文件：599.35 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
YJS05N06A	文件：547.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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