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MCQ03N06	文件：573.4 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET 文件：573.4 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCQ03N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
MCT03N06	文件：459.4 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：459.4 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
RLD03N06CLE	文件：188.51 Kbytes Page：13 Pages	0.3A, 60V, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs 文件：188.51 Kbytes 页数：13 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
RLD03N06CLE	文件：93.44 Kbytes Page：9 Pages	0.3A, 60V, 6 Ohm, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped, Logic Level N-Channel Power MOSFETs These are intelligent monolithic power circuits which incorporate a lateral bipolar transistor, resistors, zener diodes and a power MOS transistor. The current limiting of these devices allow it to be used safely in circuits where a shorted load condition may be encountered. The drain to source 文件：93.44 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil

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更多MCQ03N06供应商更新时间2025-10-13 14:01:00