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MCT03N06	文件：459.4 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：459.4 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
MCT03N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETS	MCC 美微科	MCC
RLD03N06CLE	文件：188.51 Kbytes Page：13 Pages	0.3A, 60V, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs 文件：188.51 Kbytes 页数：13 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RLD03N06CLE	文件：93.44 Kbytes Page：9 Pages	0.3A, 60V, 6 Ohm, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped, Logic Level N-Channel Power MOSFETs These are intelligent monolithic power circuits which incorporate a lateral bipolar transistor, resistors, zener diodes and a power MOS transistor. The current limiting of these devices allow it to be used safely in circuits where a shorted load condition may be encountered. The drain to source 文件：93.44 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
RLD03N06CLESM	文件：93.44 Kbytes Page：9 Pages	0.3A, 60V, 6 Ohm, ESD Rated, Current Limited, Voltage Clamped, Logic Level N-Channel Power MOSFETs These are intelligent monolithic power circuits which incorporate a lateral bipolar transistor, resistors, zener diodes and a power MOS transistor. The current limiting of these devices allow it to be used safely in circuits where a shorted load condition may be encountered. The drain to source 文件：93.44 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil

技术参数

Automotive Compliant PPAP readiness：
No
Number of Functions：
Single
Channel：
N
Package：
SOT-223
VDS(V)：
60
VGS(V)：
±20
ID(A)：
3
RDS(ON)Max@VGS=10V(Ω)：
0.105
RDS(ON)Max@VGS=4.5V(Ω)：
0.125
VGS(th)Max(V)：
2
ESD Diode：
No
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	MCT03N06	TY/台灣半導体	2022+	SOT223-3	15535	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MCT03N06	MCC/美微科	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市中联芯电子有限公司	MCT03N06	MCC/美微科	24+	SOT-223	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	MCT03N06-TP	MCC/美微科	2450+	-	9850	只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!	询价
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