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MCPF08N60	文件：737.82 Kbytes Page：3 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：737.82 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MCPF08N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
NDF08N60Z	文件：118.47 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 ? 文件：118.47 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDF08N60Z	文件：320.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=8.4A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.95Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：320.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDF08N60ZG	文件：118.47 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 0.95 ? 文件：118.47 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
8.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
1.3
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
1280
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Bulk;4Kpcs/Box
FIT：
30; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCPF08N60供应商更新时间2025-6-14 14:06:00

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