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NX3008PBKS	文件：1.62533 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAdualP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363 (SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKT	文件：1.15963 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKV	文件：1.61328 Mbytes Page：17 Pages	30V,220mAdualP-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKW	文件：1.60624 Mbytes Page：16 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKW	文件：2.26928 Mbytes Page：4 Pages	20VP-ChannelMOSFET Application «InterfacingSwitching «Portableequipmentandbattery LoadSwitch	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
OL-3008	文件：177.09 Kbytes Page：2 Pages	T-1Sub-MidgetFlanged	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PB3008	文件：93.73 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedPowerBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
PB3008	文件：99.92 Kbytes Page：6 Pages	EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
PB3008	文件：127.71 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) •Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package •Superiorthermalconductivity •Glasspassivatedchipjunction •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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