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TA1726A	文件：206.43 Kbytes Page：7 Pages	SAWFilter942.50MHz	GOLLEDGE Golledge Electronics Ltd	GOLLEDGE
TA1726B	文件：486.18 Kbytes Page：8 Pages	SAWRxFilter942.5MHzLTEBand8SMD1411(30.2MHzBW)	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
TM1726	文件：340.16 Kbytes Page：14 Pages	LCDDrivercontrolspecialcircuit	PTHShenzhen Putianhe Technology Co., Ltd 普天和深圳市普天和科技公司	PTH
TZ1726A	文件：171.44 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.0x1.640.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.0mmx1.6mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UC1726	文件：350.37 Kbytes Page：7 Pages	IsolatedDriveTransmitter	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UC1726	文件：333.54 Kbytes Page：6 Pages	IsolatedDriveTransmitter	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1726	文件：231.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=6.0A) RDS(on)3=12.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=6.0A) •LowCiss:Ciss=2700pFTYP. •Built	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1726	文件：58.91 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1726isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1726G	文件：231.24 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=6.0A) RDS(on)3=12.5mΩMAX.(VGS=2.5V,ID=6.0A) •LowCiss:Ciss=2700pFTYP. •Built	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1726G	文件：58.91 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1726isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=9.1mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=6.0A) RDS(on)2=10.0mΩMAX.(VGS=4.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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