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UPA1726G中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

UPA1726G
厂商型号

UPA1726G

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

231.24 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-26 22:26:00

UPA1726G规格书详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

FEATURES

• 2.5-V gate drive and low on-resistance

RDS(on)1 = 9.1 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 6.0 A)

RDS(on)2 = 10.0 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 6.0 A)

RDS(on)3 = 12.5 mΩ MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 6.0 A)

• Low Ciss: Ciss = 2700 pF TYP.

• Built-in G-S protection diodes

• Small and surface mount package (Power SOP8)

产品属性

  • 型号:

    UPA1726G

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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