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MCH6342	文件：89.71 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance •Ultrahigh-speedswitching •1.8Vdrive •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6342	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342	文件：472.42 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6342	文件：1.05712 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MCH6342-TL-H	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342-TL-W	文件：533.78 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •LowOn-Resistance •1.8Vdr	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6342_12	文件：472.42 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MHW6342	文件：60.35 Kbytes Page：2 Pages	77-Channel(550MHz)CATVAmplifier TheRFLine 77-Channel(550MHz)CATVAmplifier ...designedspecificallyfor550MHzCATVapplications.Featuresion–implantedarsenicemittertransistorswith7GHzfTandanallgoldmetallizationsystem. •Specifiedfor77–ChannelPerformance •BroadbandPowerGain-@f=40–550MHz	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MHW6342T	文件：89.24 Kbytes Page：4 Pages	CATVAmplifierModule Features •Specifiedfor77-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •SuperiorGain,ReturnLossandDCCurrentStabilityoverTemperature •SiliconBipolarTransistorTechnology •UnconditionallyStableUnderAllLoadConditions Applications •CATVSystemsOperatinginthe40	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
MHW6342TN	文件：162.44 Kbytes Page：4 Pages	CATVAmplifierModule Description •24VdcSupply,40to550MHz,CATVForwardAmplifierModule •ReplacedMHW6342T.Therearenoform,fitorfunctionchangeswiththispartreplacement. •RoHSCompliant Features •Specifiedfor77-ChannelLoading •ExcellentDistortionPerformance •SuperiorGain,ReturnLoss	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

详细参数

型号：
MCH6342
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
General-Purpose Switching Device Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MCH6342供应商更新时间2025-5-22 14:00:00

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