MCH6342数据手册ONSEMI中文资料规格书
MCH6342规格书详情
描述 Description
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.
特性 Features
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance
• Environmental Consideration
• Low On-Resistance
• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses, Reduces Heat Dissipation
• Ultra Small Package MCPH6 (2.0mm x 2.1mm x 0.85mmt)
• Board Space Saving
• ESD Diode-Protected Gate
• ESD Resistance
• High-Speed Switching
• Reduce Dynamic Power Losses
• 1.8V drive
• Drive at Low Voltage
应用 Application
• DC/DC Converter
• POS Printer
• Photo Printer
技术参数
- 制造商编号
：MCH6342
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：10
- VGS(th) Max (V)
：1.3
- ID Max (A)
：-4.5
- PD Max (W)
：1.5
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：99
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：73
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：20.5
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.6
- Ciss Typ (pF)
：650
- Package Type
：SC-88FL/MCPH-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
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MCPH-6 |
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