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MCH6306	文件：53.87 Kbytes Page：4 Pages	MCH6306 General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MCH6306	文件：1.05721 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MG6306WZ	文件：246.38 Kbytes Page：4 Pages	650V20AInsulatedGateBipolarTransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
MIS6306	文件：486.48 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NAS6306	文件：1.63529 Mbytes Page：4 Pages	NATIONALAEROSPACESTANDARD	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
NX6306	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6306	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306GH	文件：388.69 Kbytes Page：5 Pages	1310nmInGaAsPMQWDFBLASERDIODEINCANPACKAGEFOR155Mb/sand622Mb/sAPPLICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6306GH	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NX6306GK	文件：272.32 Kbytes Page：11 Pages	LASERDIODE 1310nmFOR156Mb/s,622Mb/s,1.25Gb/s InGaAsPMQW-DFBLASERDIODE DESCRIPTION TheNX6306Seriesisa1310nmMultipleQuantumWell(MQW) structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitor PIN-PD.ThisdeviceisidealforGigabitEthernetandSynchronousDigital Hi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
MCH6306
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
MCH6306

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市益百分电子有限公司	MCH6306-TL-E	TOSH	04+	SOT26/	3400	全新原装进口自己库存优势	询价
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深圳市拓亿芯电子有限公司	MCH6306-TL-E	SANYO	23+	SOT6	30000	代理全新原装现货,价格优势	询价
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更多MCH6306供应商更新时间2025-7-17 15:30:00

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