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MCH6412	文件：41.9 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •LowON-resistance. •1.8Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MSQC6412C	文件：354.2 Kbytes Page：7 Pages	14mm(0.56inch)FourDigitMULTIPLEXCLOCKSTICKDISPLAY Features •BrightBoldSegments •CommonAnode/Cathode •LowPowerConsumption •LowCurrentCapability •HighPerformance •HighReliability Applications •Appliances •Automotive •Instrumentation •ProcessControl	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MX6412J	文件：938.04 Kbytes Page：2 Pages	Intel®CeleronJ6412SoCFanlessThinMini-ITXMotherboardsupports4LAN,M.2NVMeSSD Features •Four(4)LAN/EthernetPortsonboard•Intel®CeleronJ6412QuadCoreSoCupto2.6GHzBurstFrequency, ElkhartLakePlatform•4xRJ45LANPorts,2x2.5GbE,2x1GbE•SupportsThreeIndependentDisplays•5xUSB3.0and4xUSB2.0•1xM.2EKey,1xM.2NVMe•4xCOMPorts,1	BCM bcm advanced search	BCM
NTB6412AN	文件：299.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB6412AN	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6412AN	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,58A,18.2m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6412AN	文件：87 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6412ANG	文件：147.88 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6412ANG	文件：87 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
MCH6412
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

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更多MCH6412供应商更新时间2025-7-22 15:10:00

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