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MCH6341-TL-H	文件：769.61 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET Features •LowRDS(on) •4Vdrive •Pb-freeandRoHSCompliance •ESDdiode-Protectedgate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCH6341-TL-W	文件：769.61 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelPowerMOSFET Features •LowRDS(on) •4Vdrive •Pb-freeandRoHSCompliance •ESDdiode-Protectedgate	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MCM6341	文件：124.14 Kbytes Page：10 Pages	128Kx24BitStaticRandomAccessMemory	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MDA6341C	文件：590.41 Kbytes Page：8 Pages	0.54INCH(13.8MM)14SEGEMENT,DUALDIGITALPHA-NUMERICSTICKDISPLAY	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMA6341L	文件：162.34 Kbytes Page：11 Pages	짹3g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
MMA6341LT	文件：162.34 Kbytes Page：11 Pages	짹3g,짹9gTwoAxisLow-gMicromachinedAccelerometer	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
NIPCIE6341	文件：516.09 Kbytes Page：15 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCIE-6341	文件：1.93778 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIPXIE-6341	文件：1.93779 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI
NIUSB-6341	文件：1.93779 Mbytes Page：18 Pages	NIXSeriesMultifunctionDataAcquisition	NI National Instruments Inc.	NI

详细参数

型号：
MCH6341-TL-H
功能描述：
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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