首页 >MCG35N04A-TP>规格书列表
零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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NPNDarlingtonPowerTransistor | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
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ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) •Logicleveldrivetype •Gateto | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司 | YANGJIE |
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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