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NJD35N04G

NPNDarlingtonPowerTransistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NJD35N04G

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NP35N04YLG

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP35N04YLG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) •Logicleveldrivetype •Gateto

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NP35N04YUG

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NP35N04YUG

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli

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YJQ35N04A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

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