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MCD02N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETS	MCC 美微科	MCC
NDD02N60Z	文件：146.41 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.8 文件：146.41 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NDD02N60Z	文件：299.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 2.2A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 4.8Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.63 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NDF02N60Z	文件：168.55 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel Power MOSFET 600 V, 4.0 文件：168.55 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
2.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
2.2
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
118
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Bulk
FIT：
30; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MCD035QFP	SHINDENGEN	24+	QFP64	173		询价
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更多MCD02N60供应商更新时间2025-12-22 15:30:00

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