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MCD132-16IO1	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：172.68 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-16IO1	文件：223.73 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：223.73 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-18IO1	文件：223.6 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：223.6 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-18IO1	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：172.68 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD161-20IO1	文件：92.34 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Thyristor Module Features • International standard package • Direct Copper Bonded Al2O3-ceramic base plate • Planar passivated chips • Isolation voltage 3600 V~ • UL registered, E 72873 • Keyed gate/cathode twin pins Applications • Motor control • Power converter • Heat and temperature control for indust 文件：92.34 Kbytes 页数：3 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD161-20IO1	文件：231.75 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Thyristor Diode Module Features • International standard package • Direct Copper Bonded Al2O3-ceramic base plate • Planar passivated chips • Isolation voltage 3600 V~ • UL registered, E 72873 • Keyed gate/cathode twin pins Applications • Motor control • Power converter • Heat and temperature control for indust 文件：231.75 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD161-22IO1	文件：231.75 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Thyristor Diode Module Features • International standard package • Direct Copper Bonded Al2O3-ceramic base plate • Planar passivated chips • Isolation voltage 3600 V~ • UL registered, E 72873 • Keyed gate/cathode twin pins Applications • Motor control • Power converter • Heat and temperature control for indust 文件：231.75 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD161-22IO1	文件：92.34 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Thyristor Module Features • International standard package • Direct Copper Bonded Al2O3-ceramic base plate • Planar passivated chips • Isolation voltage 3600 V~ • UL registered, E 72873 • Keyed gate/cathode twin pins Applications • Motor control • Power converter • Heat and temperature control for indust 文件：92.34 Kbytes 页数：3 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD162-08IO1	文件：222.1 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and te 文件：222.1 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD162-12IO1	文件：222.11 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and te 文件：222.11 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
2.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
2.2
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
118
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Bulk
FIT：
30; Tj=100℃

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