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MCD	文件：235.17 Kbytes Page：3 Pages	Multi-Cloud Director™ Unified Multi-Controller Management For DMF and CCF 文件：235.17 Kbytes 页数：3 Pages	ARISTA	ARISTA
SMAJ26E3	文件：489.87 Kbytes Page：6 Pages	丝印：MCD；Package：DO-214AC；400W Transient Voltage Suppressor (TVS) protection device Description and applications This device has the ability to clamp dangerous high voltage, short term transients such as produced by directed or radiated electrostatic discharge phenomena before entering sensitive component regions of a circuit design. Response time of clamping action is virtual 文件：489.87 Kbytes 页数：6 Pages	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI
ADM3062EBCPZ	文件：594.9 Kbytes Page：27 Pages	丝印：MCD；Package：LFCSP；3.0 V to 5.5 V, 짹12 kV IEC ESD Protected, 500 kbps/50 Mbps RS-485 Transceivers 文件：594.9 Kbytes 页数：27 Pages	AD 亚德诺	AD
ADM3062EBCPZ-R7	文件：594.9 Kbytes Page：27 Pages	丝印：MCD；Package：LFCSP；3.0 V to 5.5 V, 짹12 kV IEC ESD Protected, 500 kbps/50 Mbps RS-485 Transceivers 文件：594.9 Kbytes 页数：27 Pages	AD 亚德诺	AD
MCD132-08IO1	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：172.68 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-08IO1	文件：223.6 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：223.6 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-12IO1	文件：223.59 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：223.59 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-12IO1	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：172.68 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-14IO1	文件：223.61 Kbytes Page：6 Pages	Thyristor Diode Module Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：223.61 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
MCD132-14IO1	文件：172.68 Kbytes Page：4 Pages	Thyristor Modules Thyristor/Diode Modules Features ● International standard package ● Direct copper bonded Al2O3 -ceramic base plate ● Planar passivated chips ● Isolation voltage 3600 V~ ● UL registered, E 72873 ● Keyed gate/cathode twin pins Applications ● Motor control ● Power converter ● Heat and temperature control for indus 文件：172.68 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Polarity：
N-Channel
Drain-Source Voltage VDS (V)：
600
Gate-Source Voltage VGS(V)：
±30
Drain Current IDMAX (A)：
2.0
Drain-Source On Resistance MAX(Ω)：
2.2
Input Capacitance CISSMAX (pF)：
118
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Min：
2.0
Gate Threshold Voltage VGS(th)-Max：
4.0
Package Qty：
Bulk
FIT：
30; Tj=100℃

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