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S-818	文件：525.84 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
S-818	文件：487.7 Kbytes Page：32 Pages	LOWDROPOUTCMOSVOLTAGEREGULATOR	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SA818	文件：122.46 Kbytes Page：2 Pages	SAB5.0THRUSAB28SERIES	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
SBE818	文件：261.959 Kbytes Page：4 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBE818-TL-E	文件：489.74 Kbytes Page：6 Pages	30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetsto	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBE818-TL-E	文件：531.28 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Compositetypedevicewith2lowIRSBDshousedinonepackage,facilitatinghighdensitymounting •Smallswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.62V) •Lowreversecurrent(VR=15V,IRmax=7.5μA) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(M	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：485.03 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode30V,2A,LowVF,Non-MonolithicDualEMH8CommonCathode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS818	文件：63.42 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierDiode30V,2.0ARectifier 30V,2.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.52V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm). Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SDR818	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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产品属性

产品编号：
MC818B-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 20mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2.5A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-23-6L
描述：
TRANS PNP 30V 3A SOT23-6L

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