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UC1709	文件：178.82 Kbytes Page：5 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1709	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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UC1709-SP	文件：178.82 Kbytes Page：5 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1709	文件：79.46 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1709	文件：234.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1709G	文件：234.15 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF(TYP.) •Built-inG-Sprotectiondiode •Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1709G	文件：1.71381 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1709G	文件：79.46 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementswitch. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=9.3mΩ(TYP.)(VGS=10V,ID=4.5A) RDS(on)2=13.8mΩ(TYP.)(VGS=4.5V,ID=4.5A) •LowCiss:Ciss=1850pF	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
MC1709A
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
MONOLITHIC OPERATIONAL AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MC1709A供应商更新时间2025-5-19 15:30:00

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