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MBRS260	文件：1.09861 Mbytes Page：3 Pages	丝印：K26；Package：SOD-123FL；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 For surface mounted applications Metal silicon junction,majority carrier conduction Low power loss,high efficiency Built-in strain relief,ideal for automated placement High forward surge current c 文件：1.09861 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MBRS260	文件：362.379 Kbytes Page：2 Pages	2A 60V Schottky diode 文件：362.379 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBRS260	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky	Sunmate 森美特	Sunmate
MBRS260L	文件：1.17552 Mbytes Page：3 Pages	丝印：K26L；Package：SOD-123FL；LOW VF S URFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability classification 94V-0 Utilizing Fame Retardant Epoxy Molding Compound For surface mount applications Low leakage current. 文件：1.17552 Mbytes 页数：3 Pages	SY 顺烨电子	SY
MBRS260L	文件：53.59 Kbytes Page：4 Pages	2.0A LOW VF SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Very Low Forward Voltage Epitaxial Construction with Oxide Passivation Guard Ring for Transient and ESD Protection Surge Overload Rating to 50A Peak Low Power Loss Fast Switching Ideally Suited for Use in High Frequency SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes 文件：53.59 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
MBRS260L-T3	文件：53.59 Kbytes Page：4 Pages	2.0A LOW VF SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Very Low Forward Voltage Epitaxial Construction with Oxide Passivation Guard Ring for Transient and ESD Protection Surge Overload Rating to 50A Peak Low Power Loss Fast Switching Ideally Suited for Use in High Frequency SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes 文件：53.59 Kbytes 页数：4 Pages	WTE Won-Top Electronics	WTE
MBRS260T3G	文件：267.71 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a metalïtoïsilicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and p 文件：267.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS260T3G_V01	文件：267.71 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a metalïtoïsilicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and p 文件：267.71 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS260T3	文件：146.29 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：146.29 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRS260T3	文件：61.84 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：61.84 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VRRM(V)：
60
VRMS(V)：
42
VDC(V)：
60
IFSM(A)：
50
VF(v)：
0.70
PACKAGE：
SMB(DO-214AA)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	MBRS260	500	24+		30000		询价
深圳冠荣电子有限公司	MBRS260	ON(安森美)	2019+ROHS	DO-214AA(SMB)	66688	森美特高品质产品原装正品免费送样	询价
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更多MBRS260供应商更新时间2025-12-11 15:30:00

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