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MURA140T3	文件：48.95 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MURA140T3G	文件：182.23 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,300-400V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MURA140T3G	文件：266.12 Kbytes Page：2 Pages	1.0AmpereSurfaceMountTypeUltraFastRecoveryRectifierDiode	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
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MURS140T3G	文件：117.97 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplicationswherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MURS140T3G	文件：195.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,50-600V Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforAutomatedHandling •HighTemperatureGlassPassivatedJunction •LowForwardVoltageDrop(0.71to1.05VMax@1.0A,TJ=150°C) •NRVUSandSURS8PrefixesforAutomotiveandOtherApplications	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBA140T3G	文件：101.3 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBA140T3G	文件：301.4 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifierSMAPowerSurfaceMountPackage ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargearea metal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeatures epitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlay contact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,or asfreewheelingandpol	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NRVBA140T3G	文件：107.18 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountSchottkyPowerRectifier ThisdeviceemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.Stateoftheartgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuitedforlowvoltage,highfrequencyrectification,orasfreewheelingandpolarit	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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