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MBRM110L	文件：70.06 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques prov 文件：70.06 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110L	文件：65.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：65.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT1	文件：70.06 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques prov 文件：70.06 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT1G	文件：157.15 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques prov 文件：157.15 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT3	文件：70.06 Kbytes Page：8 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques prov 文件：70.06 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT3G	文件：157.15 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Surface Mount Schottky Power Rectifier POWERMITE® Power Surface Mount Package The Schottky Powermite® employs the Schottky Barrier principle with a barrier metal and epitaxial construction that produces optimal forward voltage drop−reverse current tradeoff. The advanced packaging techniques prov 文件：157.15 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110L_05	文件：65.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：65.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT1	文件：65.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：65.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT1G	文件：65.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：65.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRM110LT3	文件：65.95 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：65.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
10
VF Max (V)：
0.365
IRM Max (µA)：
500
IO(rec) Max (A)：
1
IFSM Max (A)：
50
Package Type：
POWERMITE-2

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更多MBRM110L供应商更新时间2025-10-7 14:30:00

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