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MBRD5H100	文件：202.39 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This series of Power Rectifiers employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supp 文件：202.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100	文件：70.81 Kbytes Page：5 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：70.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100	文件：69.95 Kbytes Page：5 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：69.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100_V01	文件：202.39 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This series of Power Rectifiers employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supp 文件：202.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100T4G	文件：202.39 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier Surface Mount Power Package This series of Power Rectifiers employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supp 文件：202.39 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100_16	文件：69.95 Kbytes Page：5 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：69.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100T4G	文件：69.95 Kbytes Page：5 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：69.95 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100T4G	文件：70.81 Kbytes Page：5 Pages	Switch-mode Schottky Power Rectifier 文件：70.81 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100T4G	文件：77.35 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Schottky Power Rectifier 文件：77.35 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRD5H100T4G	文件：81.59 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE짰 Schottky Power Rectifier 文件：81.59 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.71
IRM Max (µA)：
3.5
IO(rec) Max (A)：
5
IFSM Max (A)：
105
Package Type：
DPAK-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	MBRD5H100T4G	ON	24+	DPAK4LEADSingleG	8866		询价
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深圳市华来深电子有限公司	MBRD5H100T4G	ON	23+	TO-252	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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更多MBRD5H100供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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