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MBRF10200CTL	文件：242.93 Kbytes Page：4 Pages	MBRF10200CTLSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRF10200CT-LJ	文件：213.22 Kbytes Page：5 Pages	10ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRF10200CTR	文件：724.56 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereInsulatedDualCommonAnodeSchottkyHalfBridgeRectifiers Features ◆StandardMBRmaturedtechnologywithhighreliablity ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS ◆CarAudioAmp	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBRF10200CTR	文件：153.6 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYRECTIFIER	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
MBRF10200CTR	文件：541.57 Kbytes Page：2 Pages	10.0AmperesInsulatedDualCommonAnodeSchottkyHalfBridgeRectifiers Features ◆StandardMBRmaturedtechnologywithhighreliablity ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS ◆CarAudioAmp	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBRF10200CTR	文件：252.22 Kbytes Page：4 Pages	MBRF10200CTRSCHOTTKYRECTIFIER Features 150CTJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability ThisisaPb−Fre	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRF10200CT-Y	文件：225.33 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF10200D	文件：166.52 Kbytes Page：2 Pages	10.0AMPSIsolatedSchottkyBarrierRectifier Features Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop HighSurgecapability Guardingforovervoltageprotection Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/0seconds,0.25(6.35mm)fromcase	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRP10200	文件：262.7 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
MS10200	文件：97.11 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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