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MBRB1045HE3SLASH45	文件：143.97 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220ACandITO-220ACpackage) •Componentin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
MBR1045HE3SLASH45	文件：143.97 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220ACandITO-220ACpackage) •Componentin	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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MBRB1045HE3SLASH45

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Schottky Barrier Rectifier

FEATURES •Lowpowerloss,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220ACandITO-220ACpackage) •Componentin

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MBRB1045MOS(场效应管)	美国独家半导体	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	MBRB1045STRL	IR	23+	TO-263	8000	只做原装现货	询价

更多MBRB1045HE3SLASH45供应商更新时间2025-5-18 11:00:00

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