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MBRB1045G_V01	文件：268.7 Kbytes Page：8 Pages	Schottky Power Rectifier, Switch-Mode, 10 A, 45 V This series of Power Rectifiers employs the Schottky Barrier principle in a large metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for use in low voltage, high frequency switching power supp 文件：268.7 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多MBRB1045G_V01供应商更新时间2025-10-9 11:10:00