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MBRB10100CT	文件：576.12 Kbytes Page：5 Pages	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：576.12 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MBRB10100CT	文件：514.53 Kbytes Page：7 Pages	Product Specification 文件：514.53 Kbytes 页数：7 Pages	Good-Ark 固锝电子	Good-Ark
MBRB10100CT	文件：591.84 Kbytes Page：3 Pages	Free-wheeling diodes 文件：591.84 Kbytes 页数：3 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
MBRB10100CT	文件：655.22 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Diode in a TO-263 Plastic Package 文件：655.22 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
MBRB10100CT	文件：704.58 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：704.58 Kbytes 页数：4 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MBRB10100CTS	文件：991.61 Kbytes Page：3 Pages	丝印：MBRB10100CTS；Package：TO-263；Schottky Diodes FEATURES High frequency operation High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260℃ 文件：991.61 Kbytes 页数：3 Pages	RFE RFE international	RFE
MBRB10100CT-4W	文件：93.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance 文件：93.5 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB10100CT-8W	文件：93.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance 文件：93.5 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB10100CT-M3	文件：93.5 Kbytes Page：4 Pages	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: For definitions of compliance 文件：93.5 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB10100CT_15	文件：576.12 Kbytes Page：5 Pages	10A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：576.12 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
MBRB10100CT
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装：
TO-263
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 10A D2PAK

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更多MBRB10100CT供应商更新时间2025-12-10 15:13:00

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