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MBRAF2H100	文件：64.989 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：64.989 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRAF2H100	文件：63.35 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：63.35 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRAF2H100	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.0 A，100 V，肖特基整流器 This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity • Low Profile Package for Space Constrained Applications\n• Rectangular Package for Automated Handling\n• Highly Stable Oxide Passivated Junction\n• 150°C Operating Junction Temperature\n• Guard-Ring for Stress Protection\n• These are Pb-Free and Halide-Free DevicesMechanical Characteristics:\n• Cas;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRAF2H100_16	文件：63.35 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：63.35 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRAF2H100G	文件：104.43 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：104.43 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.79
IRM Max (µA)：
8
IO(rec) Max (A)：
2
IFSM Max (A)：
130
Package Type：
SMA-FL

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