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MBRA140	文件：72.11 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarit 文件：72.11 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA140	文件：301.4 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：301.4 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA140	文件：297.509 Kbytes Page：2 Pages	1A 40V Schottky diode 文件：297.509 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
MBRA140	文件：1.52901 Mbytes Page：4 Pages	Schottky Diodes 文件：1.52901 Mbytes 页数：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
MBRA140	文件：216.05 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：216.05 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MBRA140	文件：1.24803 Mbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTK Y BARRIER RECTIFIER 文件：1.24803 Mbytes 页数：2 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST
MBRA140	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode Schottky 40V 1A 2-Pin SMA	NJS	NJS
MBRA140	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky	Sunmate 森美特	Sunmate
MBRA140	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基整流管	ST 意法半导体	ST
MBRA140_V01	文件：301.4 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package This device employs the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State of the art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and pol 文件：301.4 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
40
VF Max (V)：
0.55
IRM Max (µA)：
500
IO(rec) Max (A)：
1
IFSM Max (A)：
30
Package Type：
SMA-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBRA140供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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