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MBRA1100T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Siliconepitaxialplanertype Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
MBRA1100T3	文件：6.37993 Mbytes Page：2 Pages	CHIP SCHOTTKY BARRIER DIODES FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •Forsurfacemountedapplications. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowleakagecurrent.	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司	TAYCHIPST
MBRAF1100T3G	文件：71.82 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRAF1100T3G	文件：113.54 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS1100T3	文件：297.64 Kbytes Page：2 Pages	1.0ASurfaceMountSchottkyPowerRectifier Features ●Pb−FreePackagesareAvailable ●SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ-BendLeads ●RectangularPackageforAutomatedHandling ●HighlyStableOxidePassivatedJunction ●HighBlockingVoltage−100Volts ●175°COperatingJunctionTemperature ●GuardringforStressProt	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
MBRS1100T3	文件：77.09 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier(SurfaceMountPowerPackage) SchottkyBarrierRectifier SurfaceMountPowerPackage SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuit	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MBRS1100T3	文件：94.71 Kbytes Page：2 Pages	1AmpSchottkyRectifier ●UderwirtersLaboratoryFlammabilityClass94V-0 ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●175°CJunctionTemperature ●Surfacemountpackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MBRS1100T3	文件：49.23 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS1100T3	文件：46.96 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier SchottkyPowerRectifier SurfaceMountPowerPackage SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuited	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS1100T3G	文件：49.23 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS1100T3G	文件：135.95 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRS1100T3G	文件：132.48 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyPowerRectifier SchottkyPowerRectifier SurfaceMountPowerPackage SchottkyPowerRectifiersemploytheuseoftheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal-to-siliconpowerdiode.State-of-the-artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuited	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MBRA1100T3
制造商：
FORMOSA
制造商全称：
Formosa MS
功能描述：
Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type

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更多MBRA1100T3供应商更新时间2024-4-23 14:51:00

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