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MBRB10100-E3/8W	文件：524.97 Kbytes Page：5 Pages	High-Voltage Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum 文件：524.97 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
MBRB10100-E3/8W	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
MBRB20100CT	文件：0 bytes Page：0 Pages	最新	DIODES 美台半导体上传：君宇国际实业有限公司	DIODES
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更多MBRB10100-E3/8W供应商更新时间2025-12-21 16:12:00