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MBRA120	文件：297.509 Kbytes Page：2 Pages	1A 20V Schottky diode 文件：297.509 Kbytes 页数：2 Pages	SUNMATE 森美特 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
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MBRA120	文件：42.9 Kbytes Page：6 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER 文件：42.9 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
MBRA120	文件：216.05 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：216.05 Kbytes 页数：2 Pages	SEMTECH_ELEC 先之科半导体	SEMTECH_ELEC
MBRA120	文件：1.24803 Mbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTK Y BARRIER RECTIFIER 文件：1.24803 Mbytes 页数：2 Pages	TAYCHIPST 泰迪斯电子	TAYCHIPST
MBRA120	文件：300 bytes Page：1 Pages	SCHOTTKY RECTIFIER	Infineon 英飞凌	Infineon
MBRA120E	文件：274.14 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes. Featu 文件：274.14 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA120E_V01	文件：274.14 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes. Featu 文件：274.14 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA120ET3G	文件：274.14 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier SMA Power Surface Mount Package Employing the Schottky Barrier principle in a metal−to−silicon power rectifier. Features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency switching power supplies; free wheeling diodes and polarity protection diodes. Featu 文件：274.14 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBRA120T3	文件：71.44 Kbytes Page：2 Pages	Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Silicon epitaxial planer type Features • Plastic package has Underwriters Laboratory FlammabilityClassification 94V-O Utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • For surface mounted applications. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500 / 228 • Low leakage current. 文件：71.44 Kbytes 页数：2 Pages	FORMOSA 美丽微半导体	FORMOSA

技术参数

AEC-Q101Qualified：
_
IF(A）：
1
VRRM(V)：
20
VRMS(V)：
_
VDC(V)：
20
IFSM(A)：
40
VF(v)：
0.595
TRR(NS)：
_

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	MBRA120	SMA	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MBRA120	IR	19+	SMADO-214AC	200000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MBRA120	IR	20+	SMADO-214AC	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	MBRA120	ON/安森美	21+	DO-214AC	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	MBRA120	PLINGSEMIC	23+	SOD-123	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	MBRA120	IR		SMADO-214AC	78000	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	MBRA120	IR	22+	SMADO-214AC	6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MBRA120	ON/安森美	24+	NA/	30000	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	MBRA120	IR	23+	SMADO-214AC	8000	只做原装现货	询价
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更多MBRA120供应商更新时间2025-12-23 17:00:00

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