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MBR890L	文件：439.75 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Chip Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MBR890L	文件：63.93 Kbytes Page：2 Pages	8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR890L	文件：81.89 Kbytes Page：2 Pages	Wide Temperature Range and High Tjm Schottky Barrier Rectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR890L	文件：89.85 Kbytes Page：2 Pages	High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBRF890CT	文件：187.95 Kbytes Page：2 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF890CT	文件：316.75 Kbytes Page：2 Pages	Isolated8.0AMPS.SchottkyBarrierRectifiers VoltageRange30to100VoltsCurrent8.0Amperes Features ✧PlasticmaterialusedcarriesUnderwritersLaboratory Classifications94V-0 ✧Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ✧Lowpowerloss,highefficiency ✧Highcurrentcapability,lowforwardvoltagedrop ✧Highsurg	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBRF890CT	文件：224.55 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MRF890	文件：18.24 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF890isDesignedforUHFClassAAmplifierApplicationsinCellularBaseStationEquipment. FEATURES: •Pg=9.0dBmin.@900MHz •P1dB=2.0Wattsmin.at900MHz •Omnigold™MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF890	文件：38.93 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MS890	文件：94.22 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●175°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●VRRM80to100Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
MBR890L
制造商：
SIRECTIFIER
制造商全称：
Sirectifier Semiconductors
功能描述：
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，高结温低漏电流肖特基势垒二极管High Tjm Low IRRM Schottky Barrier Diodes，Tj = -65°C ~ 175°C, Tjm = 175°C。

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