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MBR5100MFS	文件：118.19 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uni 文件：118.19 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFS	文件：194.8 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu 文件：194.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFS_V01	文件：194.8 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu 文件：194.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST1G	文件：194.8 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu 文件：194.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST1G	文件：118.19 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uni 文件：118.19 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST3G	文件：194.8 Kbytes Page：6 Pages	Switch-mode Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uniqu 文件：194.8 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST3G	文件：118.19 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODE Power Rectifiers Features • Low Power Loss / High Efficiency • New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting • Guardring for Stress Protection • Low Forward Voltage Drop • 175°C Operating Junction Temperature • NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Uni 文件：118.19 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFS	文件：300 bytes Page：1 Pages	5A，100V 肖特基整流器，采用 SO-8FL 封装	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR5100MFST3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN，5 引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
100
VF Max (V)：
0.98
IRM Max (µA)：
10
IO(rec) Max (A)：
5
IFSM Max (A)：
100
Package Type：
SO-8FL/DFN-5

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