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MBR5100MFST3G分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MBR5100MFST3G |
| 参数属性 | MBR5100MFST3G 封装/外壳为8-PowerTDFN，5 引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN |
| 功能描述 | SWITCHMODE Power Rectifiers |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN，5 引线 |
| 文件大小 |
118.19 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-25 22:59:00 |
| 人工找货 | MBR5100MFST3G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MBR5100MFST3G规格书详情
MBR5100MFST3G属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由安森美半导体公司制造生产的MBR5100MFST3G二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
Features
• Low Power Loss / High Efficiency
• New Package Provides Capability of Inspection and Probe After Board Mounting
• Guardring for Stress Protection
• Low Forward Voltage Drop
• 175°C Operating Junction Temperature
• NRVB Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
Qualified and PPAP Capable
• These are Pb−Free Devices
产品属性
更多- 产品编号：
MBR5100MFST3G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）
- 二极管类型：
肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
5A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN，5 引线
- 供应商器件封装：
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SO8FL |
7350 |
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询价 | ||
PANJIT/强茂 |
24+ |
NA/ |
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PANJIT |
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DO-201A |
80000 |
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LT |
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1983 |
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TO-220 |
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PANJIT/强茂 |
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880000 |
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ON/安森美 |
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D0-201AD |
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