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MBR3530	文件：119.74 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE35A 35AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR3530	文件：123.45 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Power Diode, 35A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR3530	文件：108.73 Kbytes Page：2 Pages	35 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MBR3530	文件：799.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR3530	文件：115.54 Kbytes Page：2 Pages	35 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MBR3530	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR3530R	文件：119.74 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE35A 35AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR3530R	文件：123.45 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Power Diode, 35A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR3530R	文件：799.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR3530R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC

产品属性

产品编号：
MBR3530
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 35A DO4

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