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MBR3530R	文件：119.74 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A SCHOTTKYDIODESSTUDTYPE35A 35AmpRectifier20-100Volts Features HighSurgeCapability Typesupto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR3530R	文件：123.45 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Power Diode, 35A Features •FastSwitching •Lowforwardvoltagedrop •Highsurgecapability •Highefficiency,lowpowerloss •NormalandReversepolarity	NAINA Naina Semiconductor ltd.	NAINA
MBR3530R	文件：799.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MBR3530R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
MCDDT3530	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MDDDT3530	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MEDDT3530	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MFDDT3530	文件：1.86207 Mbytes Page：27 Pages	TechnicalreferenceACServoMotor&Driver	PANASONICBATTERYPanasonic Battery Group 松下电器松下电器（中国）有限公司	PANASONICBATTERY
MPM3530	文件：1.84837 Mbytes Page：20 Pages	55V,3A,Step-DownPowerModule	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MPM3530GRF	文件：1.84837 Mbytes Page：20 Pages	55V,3A,Step-DownPowerModule	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS

产品属性

产品编号：
MBR3530R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

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