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MBR3530R	文件：123.45 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Power Diode, 35A Features • Fast Switching • Low forward voltage drop • High surge capability • High efficiency, low power loss • Normal and Reverse polarity 文件：123.45 Kbytes 页数：2 Pages	NAINA	NAINA
MBR3530R	文件：119.74 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES STUD TYPE 35 A SCHOTTKYDIODES STUDTYPE 35 A 35Amp Rectifier 20-100 Volts Features High Surge Capability Types up to 100V VRRM 文件：119.74 Kbytes 页数：2 Pages	TEL 东电电子	TEL
MBR3530R	文件：799.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Schottky Diode 文件：799.73 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
MBR3530R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Rectifiers	Navitas 纳微半导体	Navitas
MBR3530R	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4	GENESIC	GENESIC

产品属性

产品编号：
MBR3530R
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
35A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY REV 30V DO4

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更多MBR3530R供应商更新时间2025-10-4 10:19:00

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