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MBR3060	文件：154.2 Kbytes Page：5 Pages	Axial Lead Rectifier Axial Lead Rectifier . . . employing the Schottky Barrier principle in a large area metal−to−silicon power diode. State−of−the−art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low−voltage, high−frequency inv 文件：154.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR3060	文件：132.82 Kbytes Page：3 Pages	30 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：132.82 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MBR3060	文件：158.03 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES • Dual diode construction;terminals 1 and 3 may be connected for parallel operation at full rating • Low forward voltage • Guarding for stress protection • 150℃ operating junction temperature • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device perfor 文件：158.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MBR3060	文件：305.55 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Rectifier Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：305.55 Kbytes 页数：3 Pages	PFS 平盛电子	PFS
MBR3060	文件：540.47 Kbytes Page：3 Pages	30 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 100 Volts Features • Metal of siliconrectifier, majonty carrier conducton • Guard ring for transient protection • Low power loss high efficiency • High surge capacity, High current capability 文件：540.47 Kbytes 页数：3 Pages	GXELECTRONICS 星合电子	GXELECTRONICS
MBR3060	文件：2.37709 Mbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers 文件：2.37709 Mbytes 页数：2 Pages	JUXING 广东钜兴电子	JUXING
MBR3060	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：383.54 Kbytes 页数：9 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060AB	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	丝印：MBR3060；Package：TO-3PB；SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：383.54 Kbytes 页数：9 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060ABR	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	丝印：MBR3060；Package：TO-3PB；SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：383.54 Kbytes 页数：9 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060HF	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	丝印：MBR3060；Package：TO-220HF；SCHOTTKY BARRIER DIODE 文件：383.54 Kbytes 页数：9 Pages	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

技术参数

IO (A)：
30
VRM(VR)(V)：
60
IFSM(A)：
275
VFMRatingMAX.(V)：
0.86
VFMConditionsIF(A)：
30
IRM(IR)RatingMAX.(μA)：
100
IRM(IR)ConditionsVR(V)：
60
Package：
TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR3060供应商更新时间2025-12-13 19:09:00

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