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MBR230LSFT1	文件：80.14 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 2.0 AMPERES, 30 VOLTS 文件：80.14 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：197.63 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123 Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：197.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G_V01	文件：197.63 Kbytes Page：6 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier Plastic SOD-123 Package This device uses the Schottky Barrier principle with a large area metal−to−silicon power diode. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications where compact size and weight are critical to the system 文件：197.63 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：68.63 Kbytes Page：5 Pages	Surface Mount Schottky Power Rectifier 文件：68.63 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：2.79432 Mbytes Page：28 Pages	Compact Intelligent Power Module (IPM) Motor Control Development Kit (MDK) 1 kW 文件：2.79432 Mbytes 页数：28 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：80.14 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 2.0 AMPERES, 30 VOLTS 文件：80.14 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基功率整流器，表面贴装，30 V，2.0 A The Schottky Rectifier employs the Schottky barrier principle with a large area metal-to-silicon power diode. It is ideally suited for low voltage, high frequency rectification or as free wheeling and polarity protection diodes in surface mount applications, where compact size and weight are critica • Guardring for Stress Protection\n• Low Forward Voltage Drop\n• 125 C Operating Junction Temperature\n• Epoxy Meets UL94, V-0\n• Package Designed for Optimal Automated Board Assembly\n• Cathode Lead Indicated by polarity Band\n• ESD Ratings, Machine Model = C, Human Body Model = 3B\n• Device Meets ;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1H	文件：300 bytes Page：1 Pages	DIODE SCHOTTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD123L	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MBR230LSFT1H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-123F；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Configuration：
Single
VRRM Min (V)：
30
VF Max (V)：
0.43
IRM Max (µA)：
1000
IO(rec) Max (A)：
2
IFSM Max (A)：
40
Package Type：
SOD-123FL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	MBR230LSFT1	ON/安森美	23+	SOD-123	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市羿芯诚电子有限公司	MBR230LSFT1	ON/安森美	24+	TSSOP	10000	原装进口只做订货寻找优势渠道合作	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	MBR230LSFT1	ONSEMI/安森美	24+	SOD-123	60000		询价
深圳市中联芯电子有限公司	MBR230LSFT1	ONSEMI/安森美	24+	SOD-123	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	MBR230LSFT1	ON(安森美)	2511		5904	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市一线半导体有限公司	MBR230LSFT1G	ONS	24+		3000		询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	MBR230LSFT1G	DISCRETE	3000	ON7	276000		询价
深圳市联世界科技有限公司	MBR230LSFT1G	ON	24+/25+		2977	原装正品现货库存价优	询价

更多MBR230LSFT1供应商更新时间2025-12-1 13:47:00

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