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MBR2045CT-E	文件：607.14 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：607.14 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
MBR2045CT-E1	文件：449.71 Kbytes Page：9 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER IF(AV) 2*10A VRRM 45V TJ 150oC VF(max) 0.57V General Description High efficiency dual Schottky rectifier suited for switch mode power supplies and other power converters. This device is intended for use in medium voltage operation, and particularly, in high frequency circuits where low switch 文件：449.71 Kbytes 页数：9 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
MBR2045CT-E3	文件：1.96238 Mbytes Page：4 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO- 文件：1.96238 Mbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR2045CT-E3	文件：1.9575 Mbytes Page：4 Pages	Guardring for overvoltage protection FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO- 文件：1.9575 Mbytes 页数：4 Pages	KERSEMI	KERSEMI
MBR2045CT-E3/45	文件：512.98 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO- 文件：512.98 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR2045CT-E3SLASH45	文件：512.98 Kbytes Page：5 Pages	Dual Common-Cathode Schottky Rectifier FEATURES • Guardring for overvoltage protection • Lower power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • High forward surge capability • High frequency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder dip 260 °C, 40 s (for TO- 文件：512.98 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
MBR2045CT-E1	文件：454.34 Kbytes Page：8 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER 文件：454.34 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MBR2045CT-E1	文件：903.88 Kbytes Page：11 Pages	HIGH EFFICIENCY POWER SCHOTTKY RECTIFIER 文件：903.88 Kbytes 页数：11 Pages	BCDSEMI 新进半导体	BCDSEMI
MBR2045CT-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管	JSCJ 长晶科技	JSCJ
MBR2045CT-E1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

IO(mA)：
20000
VR(V)：
45
VF(V)：
0.70
IR(uA)：
100
Package：
TO-220-3L

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