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MBR20150CT-LJ	文件：484.22 Kbytes Page：4 Pages	20ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR20150CTP	文件：78.59 Kbytes Page：4 Pages	20ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •LowForwardVoltageDrop •Soft,FastSwitchingCapability •SchottkyBarrierChip •ITO-220SHeatSinkTabElectricallyIsolatedfromCathode	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR20150CTP	文件：3.96024 Mbytes Page：3 Pages	20ASchottkyBarrierRectifier Features •LowForwardVoltageDrop •Soft,FastSwitchingCapability •SchottkyBarrierChip •ITO-220SHeatSinkTabElectricallyIsolatedfromCathode •ULApprovalinAccordancewithUL1557,ReferenceNo.E94661	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR20150CTP	文件：498.86 Kbytes Page：3 Pages	20AmpereHeatsinkElectricallyIsolatedDualCommonCathodeSchottkyBarrierRectifiers Features ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent ◆Internalceramicinsulatedpackage Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS ◆CarAudioAmplifiersandSound	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MBR20150CTS	文件：2.39029 Mbytes Page：3 Pages	SchottkyDiodes Features Highfrequencyoperation Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardfingforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MBR20150CTSH	文件：59.96 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MBR20150CT-Y	文件：211.91 Kbytes Page：3 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20150CT-Y	文件：214.89 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20150D	文件：185.57 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •PlasticPackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 FlameRetardantEpoxyMoldingCompound •MetalSiliconJunction,MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability •ForuseinLowVoltageHighFrequencyInv	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MBR20150DC	文件：896.85 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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