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MBR20150CTS	文件：2.39029 Mbytes Page：3 Pages	丝印：MBR20150CTS；Package：TO-220AB；Schottky Diodes Features Highfrequencyoperation Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Guardfingforenhancedruggednessandlongtermreliability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-8106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MBR20150CTS	文件：300 bytes Page：1 Pages	肖特基二极管;	YJYJYCOIN ELECTRONICS CO.,LTD. 益嘉源深圳市益嘉源电子有限公司	YJ
MBR20150CTSH	文件：59.96 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	ZOWIEZowie Technology Corporation 智威智威科技股份有限公司	ZOWIE
MBR20150CT-Y	文件：211.91 Kbytes Page：3 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20150CT-Y	文件：214.89 Kbytes Page：4 Pages	DualCommonCathodeSchottkyRectifier	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MBR20150D	文件：185.57 Kbytes Page：2 Pages	20AmpSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •PlasticPackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 FlameRetardantEpoxyMoldingCompound •MetalSiliconJunction,MajorityCarrierConduction •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighCurrentCapability •ForuseinLowVoltageHighFrequencyInv	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

技术参数

VRM_Max (V)：
150
Io_Max(A)：
20
IFSM_Max(A)：
130
Rated lo(A)：
10
VF_Max(V)：
0.9
IR@25℃IR(uA)：
0.1
IR@125℃IR(uA)：
20
Cj(PF)：
300
Tj（℃）：
-55～+175
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MBR20150CTS供应商更新时间2025-7-31 11:49:00

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